光衰是电池产品可靠性的重要性能指标之一。电池光衰所指的含义主要包括两种，光致衰减(LID)和热辅助光诱导衰减(LeTID)。
1973年H.Fischer等在P型掺硼CZ晶硅电池上发现了LID，1997年Jan Schmid等证实这是因为形成了硼氧复合中心，该机理得到了业界一致认可。为了在P型晶硅上改善这一问题，工业届采取了如下几种方式：(1)降低氧含量，通过热场及拉晶工艺降低硅片氧含量;(2)采用镓替代硼作为P型掺杂剂;(3)LID恢复处理：2006年Alex Herguth等人发现在较高温度的光照条件下或在施加正向电流的情况下，硼氧对会经历衰减—再生过程，这一过程能有效改善LID现象。而掺磷的N型晶硅因为硼含量极低，本质上消除了硼氧对的影响，几乎不会产生LID现象。晶科能源根据IEC 63202-1标准规定的LID测试内容(1 sun，60±5 ℃，一般累计5 kWh，最大20kWh)，对典型的晶硅电池LID(5kWh)衰减进行了测试，结果如下图所示：
LeTID现象最� | 
